深圳市東德電子(zǐ)貿易有限公司-産品中心
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提供高(gāo)性價比存儲芯片以及存儲解決方案

DDR3
速度快 性能高(gāo) 功耗低(dī)


适合衆多計算環境，進行了包括老化和(hé)高(gāo)低(dī)溫壓力測試在內(nèi)的(de)40多項生産測試，保證産品品質可(kě)靠 ，  采用25nm工藝，符合JEDEC标準。

速度快，性能高(gāo)，帶寬是 DDR2 的(de)兩倍。

功耗低(dī)、能效高(gāo)的(de)DRAM 解決方案，與 DDR2 相比功耗降低(dī)達 30%。



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  • Density   Part Number  Voltage Organization Speed Package
    64x16(1Gb) C4B1G1646IY-BCKO 1.35V-1.5V x16 1600 Mbps 96FBGA
    64x16(1Gb) C4B1G1646IY-BCMA 1.35V-1.5V x16 1866 Mbps 96FBGA
    256x8(2Gb) C4B2G0846IY-BCKO 1.35V-1.5V x8 1600 Mbps 78FBGA
    128x16(2Gb) C4B2G1646FY-BCKO 1.35V-1.5V x16 1600 Mbps 96FBGA
    128x16(2Gb) C4B2G1646FY-BCMA 1.35V-1.5V x16 1866 Mbps 96FBGA
    512x8(4Gb) C4B4G0846EY-BCMA 1.35V-1.5V x8 1866 Mbps 78FBGA
    256x16(4Gb) C4B4G1646DY-BCKO 1.35V-1.5V x16 1600 Mbps 96FBGA
    256x16(4Gb) C4B4G1646EY-BCMA 1.35V-1.5V x16 1866 Mbps 96FBGA


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